2024年國際汽車新材料大會——半導(dǎo)體新材料專題

5月30日，2024年國際汽車新材料大會在安徽省蕪湖市順利召開。31日，大會下設(shè)的“半導(dǎo)體新材料”分會場以半導(dǎo)體新材料為主題，各報告嘉賓解讀了目前新材料在半導(dǎo)體新材料方向上的研究及應(yīng)用情況，并提出了未來發(fā)展趨勢。

此會場由國汽輕量化（江蘇）汽車技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)研究工程師張子軍主持，來自中國有研科技集團有限公司、中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所、中國科學(xué)院微電子研究所、濟南大學(xué)、山東大學(xué)、元素六、北京石墨烯研究院有限公司的7位專家、教授在本次會議做了相關(guān)報告。

國汽輕量化（江蘇）汽車技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)研究工程師 張子軍

中國有研科技集團有限公司正高級工程師趙鴻濱的報告題目為《信息領(lǐng)域關(guān)鍵材料發(fā)展戰(zhàn)略與思考》，向大家介紹了國內(nèi)外信息領(lǐng)域關(guān)鍵材料，如顯示材料、5G通信材料、燃料電池材料的國內(nèi)外戰(zhàn)略布局、國內(nèi)企業(yè)與國外主流企業(yè)的技術(shù)水平差距、未來發(fā)展趨勢與發(fā)展重點。

中國有研科技集團有限公司正高級工程師 趙鴻濱

中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所高級工程師楊增朝的報告題目為《先進硅基陶瓷燃燒合成新進展》，主要介紹了燃燒合成技術(shù)制備先進硅基陶瓷粉體如先進結(jié)構(gòu)陶瓷Si3N4、高溫超疏水陶瓷Si2N2O、低成本β-SiC氣凝膠的最新進展。

中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所高級工程師 楊增朝

元素六亞洲戰(zhàn)略業(yè)務(wù)總監(jiān)秦景霞的報告題目為《金剛石在新能源半導(dǎo)體的應(yīng)用》，主要介紹了化學(xué)氣相沉積法和高溫高壓法制備金剛石材料及其在功率器件、散熱材料、量子信息處理等領(lǐng)域的應(yīng)用。

元素六亞洲戰(zhàn)略業(yè)務(wù)總監(jiān) 秦景霞

北京石墨烯研究院有限公司總監(jiān)徐興的報告題目為《石墨烯材料汽車半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用展望》，主要介紹了優(yōu)質(zhì)二維材料石墨烯材料的應(yīng)用工藝路徑并著重介紹了石墨烯半導(dǎo)體材料在硅光芯片集成、高性能霍爾傳感器的潛在應(yīng)用場景。

北京石墨烯研究院有限公司總監(jiān) 徐興

中國科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師張青竹的報告題目為《圍柵堆疊納米片場效應(yīng)晶體管制備及特性研究》，指出了GAA NSFET是FinFET技術(shù)之后在3nm及以下節(jié)點核心技術(shù)結(jié)構(gòu)，介紹了其團隊研究和開發(fā)出的適用于堆疊納米線器件制備的多周期GeSi/Si疊層外延、納米線釋放、內(nèi)側(cè)墻工藝、集成熱預(yù)算評估等關(guān)鍵模塊工藝和兼容主流體硅FinFET工藝的堆疊GAA NS CMOS器件與SRAM單元電路，為國內(nèi)12吋平臺實現(xiàn)GAA技術(shù)奠定技術(shù)基礎(chǔ)，并探索和研究新型GAA器件和三維堆疊CFET設(shè)計，實現(xiàn)器件性能和電路密度大幅提升。

中國科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師 張青竹

濟南大學(xué)研究員逄金波的報告題目為《面向集成電路應(yīng)用的晶圓級二維材料》，二維材料有很寬的電導(dǎo)率、電磁譜范圍，在量子器件、場效應(yīng)晶體管、探測器等領(lǐng)域有很大應(yīng)用潛力，逄金波研究員介紹了國際上二維材料的技術(shù)發(fā)展路徑，國內(nèi)外二維集成電路的進展和晶圓級二維材料制備技術(shù)。

濟南大學(xué)研究員 逄金波

山東大學(xué)副教授穆文祥的報告題目為《氧化鎵單晶生長及缺陷研究》，主要介紹了氧化鎵研究進展、晶體制備與缺陷分析。

山東大學(xué)副教授 穆文祥

隨著新能源汽車滲透率的迅速提升，智能座艙、智能駕駛、人機交互等新技術(shù)日新月異，半導(dǎo)體材料及相關(guān)元器件將是今后的材料開發(fā)與產(chǎn)品研發(fā)中的重要內(nèi)容，本次會議嘉賓分享的半導(dǎo)體新材料與相關(guān)元器件的技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和應(yīng)用等，將進一步推動整車科技水平向著更高層次邁進。

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